Bei einer Zeremonie haben das New York Center for Research, Economic Advancement, Technology, Engineering, and Science, NY Creates, und das Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme ein neues gemeinsames Joint Development Agreement unterzeichnet, um die Forschung und Entwicklung im Bereich der Datenspeicher voranzutreiben. 

„Wir bauen auf den starken Verbindungen auf, die wir mit Forschungs- und Entwicklungseinrichtungen im Bereich der Halbleiter auf der ganzen Welt pflegen, um Technologien zu schaffen, auf die die USA und die Welt in Zukunft angewiesen sein werden. So freuen wir uns auf diese Zusammenarbeit mit Fraunhofer IPMS, um die nächste Generation von ferroelektrischen Speichergeräten auf 300-mm-Wafern weiterzuentwickeln“, sagte Dave Anderson, Präsident von NY Creates.

Dr. Wenke Weinreich, stellvertretende Direktorin des Fraunhofer IPMS, fügt an: „Mit dem Center Nanoelectronic Technologies (CNT) betreibt das Fraunhofer IPMS ein führendes internationales Kompetenzzentrum für die Entwicklung von ferroelektrischen Speichern auf Basis von Hafniumoxid (HfO₂). Diese Speichertechnologien sind besonders vielversprechend für neuromorphes Computing, da sie sehr energieeffizient, CMOS-kompatibel und bis auf sehr kleine Technologieknoten skalierbar sind. Wir freuen uns darauf, mit NY Creates zusammenzuarbeiten, um neue vielversprechende Speicherdesigns basierend auf dem Fachwissen beider Parteien zu entwickeln.“

Führende Mitglieder von NY Creates mit Sitz in Albany, New York, und des Dresdner Fraunhofer-IPMS besiegelten am 15. Mai im Albany NanoTech Complex von NY Creates in Anwesenheit zahlreicher hochrangigen Vertretungen aus dem Bundesstaat New York und aus Deutschland das JDA mit einer feierlichen Unterzeichnung durch Paul Kelly, Vice President of Strategies, Partnerships & New Ventures und Chief Operating Officer von NY Creates, und Dr. Wenke Weinreich, stellvertretende Institutsleiterin des Fraunhofer IPMS. Basierend darauf starten NY Creates und das Fraunhofer IPMS ein gemeinsames Entwicklungsprojekt für die Entwicklung fortschrittlicher Datenspeicher auf 300-mm-Wafern, dem heutigen Industriestandard für die Herstellung von Chips.